حکیمه محمدپور
چکیده
در این مقاله یک نوع ترانزیستور گرافینی اثر میدانی جدید با ترابرد تونل‌زنی تشدیدی معرفی و مدلسازی می-شود که برای بسیاری از ساختارهای غیرگرافینی دوبعدی مسطح هم که دارای نوار ممنوعهانرژی هستند قابل کاربرد است. همانند سایر ترانزیستورهای اثر میدانی بر پایه‌ی گرافین، جریان، از طریق نوار دو بعدی گرافینی برقرار می‌شود. اما در اینجا، ...
بیشتر
در این مقاله یک نوع ترانزیستور گرافینی اثر میدانی جدید با ترابرد تونل‌زنی تشدیدی معرفی و مدلسازی می-شود که برای بسیاری از ساختارهای غیرگرافینی دوبعدی مسطح هم که دارای نوار ممنوعهانرژی هستند قابل کاربرد است. همانند سایر ترانزیستورهای اثر میدانی بر پایه‌ی گرافین، جریان، از طریق نوار دو بعدی گرافینی برقرار می‌شود. اما در اینجا، با انتخاب منبع و درین نوع p و نیزهندسهی ویژهی الکترود گیت، کانال گرافینی، به دو نقطه کوانتومی تبدیل می‌شود که بهصورت سری به هم متصلاند. شدت جفتشدگی بین دو نقطه کوانتومی و اندازه ی این نقاط، مشخصهی جریان کانال را تعیین میکنند. تونل‌زنی تشدیدی در مشخصه جریان-ولتاژ سیستم، مشاهده می‌شود.